上个月，三星成立了一个重组芯片封装团队，并将其置于该机构芯片负责人的全控制范围。

先进芯片封装是三星雄心勃勃的交钥匙芯片制造服务不可或缺的一部分。

Nvidia 的 H200 和 AMD 的 MI300X 等 AI 加速器将 HBM 芯片和 GPU 转变为通过尖端封装技术打造的。

封装是半导体制造的最后步骤之一，它负责将芯片放入保护壳中以防止腐蚀，并提供接口来组合和连接已制造的芯片。

芯片代工厂领导者台湾半导体制造股份有限公司(TSMC)和快速跟随者三星正在努力推进其封装技术，因为它可以提高芯片性能，而无需通过超精细加工缩小到纳米，这在技术上是前所未有的，并且需要更多时间。

去年，三星表示2024开始使用一种名为SAINT的先进三维 (3D) 芯片封装技术，以更好地与其主要竞争对手台积电竞争。

三星开发新型芯片封装技术以防止 AP 过热

据 TheElce 获悉，三星正在开发一种新的芯片封装技术，以防止应用处理器（AP）过热。

消息人士称，该封装在 SoC 顶部附加了一个热路径块 (HPB)，预计将用于未来的 Exynos 芯片。

该技术的全名是扇出型晶圆级封装-HPB（FOWLP-HPB），由三星芯片部门下属的高级封装（AVP）业务部门开发。

该业务部门的目标是在第四季度完成开发并开始大规模生产。

该公司还在开发可安装多个芯片的 FOWLP 系统级封装 (SIP) 技术，该技术将于 2025 年第四季度推出。

两种封装类型都将 HPB 安装在 SoC 的顶部，而内存则放置在 HPB 旁边。

HPB 是一种散热器，已在服务器和 PC 的 SoC 中使用。由于智能手机的体积较小，该技术目前才引入到智能手机的芯片中。

如今的智能手机大多使用蒸汽室来容纳制冷剂，以冷却 AP 和其他核心组件。HPB 仅用于 SoC。

三星正在考虑采用 2.5D 或 3D 封装来采用该技术。

设备上 AI 的日益普及也加剧了人们对 AP 过热的担忧。

两年前，三星因其 Galaxy S22 智能手机的过热问题而受到严厉批评。

该公司试图通过其游戏优化服务 (GOS) 应用程序来防止这种情况发生，该应用程序强制 AP 降低其性能以防止其过热，但没有告知客户。

三星通过改变 AP 设计并在后续型号上采用蒸汽室来改善这个问题。