据报道，三星电子正在开发为苹果下一代 XR 设备供应 LLW DRAM 的技术。

业内人士7月16日透露，三星电子正在开发向苹果供应LLW DRAM的产品。LLW DRAM 是下一代 DRAM，通过增加输入/输出 (I/O) 端子的数量来增加带宽（发送和接收数据的路径）。通过此，它具有 128GB/s 的高性能和低延迟特性。得益于此，它有望应用于端侧AI行业，取代现有的LPDDR。

据说苹果也对 LLW DRAM 非常感兴趣。事实上，苹果在去年 6 月推出其XR 设备“Vision Pro”时就采用了 SK Hynix 的 LLW DRAM。

LLW DRAM成为热点？

今年1月媒体报道，三星正在开发一种名为低延迟宽 I/O (LLW) DRAM 的新型内存，该内存有望将极高的带宽、低延迟和低功耗融为一体。该公司将其新内存定位于需要在设备上运行大型语言模型 (LLM) 的设备，尽管此类 DRAM 可用于各种客户端工作负载。

三星的 LLW DRAM 是一种低功耗内存，具有宽 I/O、低延迟的特点，带宽为 128 GB/s，大概是每个模块（或者更确切地说是堆栈）的带宽。为了说明这个数字，128 位 DDR5-8000 内存子系统可以提供类似的 128 GB/s 带宽。同时，三星 LLW DRAM 的一个主要特点是其功耗低至 1.2pJ/bit，但三星并未透露其 LLW DRAM 在何种数据速率下达到上述功耗。

目前，三星尚未透露有关其 LLW DRAM 的很多细节，尽管该公司一直在探索具有宽接口（例如 GDDR6W）的内存。同时，三星的 LLW 有可能（我们在此推测）借鉴了 GDDR6W 的做法，并使用扇出型晶圆级封装 (FOWLP) 技术将多个 DRAM 设备集成到一个封装中，以扩展接口并兼具容量、性能和低功耗。

考虑到三星在 2022 年第二季度标准化了其 GDDR6W，并计划将其用于人工智能、高性能计算加速器和客户端 PC，LLW DRAM 很可能定位于其他用途。鉴于该标准的低功耗特性，我们可以设想这样的应用，例如具有 AI 功能的边缘计算设备、智能手机、笔记本电脑，甚至汽车应用。