据 TheElec 获悉，三星的 2 纳米（nm）工艺节点将比 3nm 多 30% 的极紫外（EUV）层。

消息人士称，该公司的 3nm 节点有 20 个 EUV 层，但 2nm 节点的 EUV 层数已增加到 20 层。

他们补充说，三星的 1.4nm 工艺预计将有 30 层以上，预计于 2017 年开始生产。

该公司于 2018 年首次在其 7nm 逻辑工艺节点上应用 EUV。从那时起，随着每次迁移（到 5nm 再到 3nm），三星都会在芯片生产过程中增加 EUV 层数或 EUV 工艺步骤数。

芯片代工厂正在竞相从 ASML 购买更多的 EUV 机器以用于其先进节点。

据报道，市场领导者台积电计划在明年之前订购 65 台 EUV。

与此同时，三星也将 EUV 应用于其 DRAM 生产。三星已为其第六代 10nm DRAM 应用了多达 7 个 EUV 层，而 SK Hynix 则应用了 5 个。

随着越来越多的芯片制造商扩展其 EUV 制程步骤，光刻胶、空白掩模版和防护薄膜等相关行业预计也将实现增长。

三星有望在 2025 年生产 2nm 芯片，2027 年生产 1.4nm 芯片

全球第二大芯片制造商三星代工厂宣布，预计将在 2025 年生产 2nm 半导体芯片，并在 2027 年生产1.4nm芯片。该公司在第七届三星代工论坛 2023 活动上宣布其工艺技术路线图时透露了这一信息。

发布会期间，这家韩国公司还发布了有关其 2nm 芯片制造技术的更多信息。

根据该公司的说法，SF2（三星代工厂2nm）将于 2025 年向客户提供。这种制造技术在时钟速度和复杂度相同的情况下，能效提高了 25%。与今年早些时候开始生产的第二代 3nm 芯片相比，它的性能提高了 12%，芯片面积减少了 5%。为了让 2nm 芯片更具吸引力，三星代工厂将提供将该技术集成到各种芯片设计中的方法，包括 LPDDR5X、HBM3、PCIe Gen 6 和 112G SerDes。

三星的 2nm 芯片（SF2）之后将推出第二代 2nm 级半导体芯片制造工艺，即 SF2P（Samsung Foundry 2nm Performance）。这些芯片将针对高性能计算进行优化，并将于 2026 年上市。2027 年，该公司将推出用于汽车芯片的 SF2A（Samsung Foundry 2nm Automotive）。

该公司的 2nm 级芯片将与台积电的 2nm 制造技术同时向客户推出。因此，看看 AMD、Apple、联发科、Nvidia 和高通等大牌芯片客户会选择哪种工艺将会很有趣。英特尔的 2nm 级芯片制造工艺 20A 将于 2024 年推出。

三星电子总裁兼代工业务负责人崔时永博士表示：“三星代工始终走在技术创新前沿，以满足客户需求。今天，我们相信，我们基于全栅环 (GAA) 的先进节点技术将有助于满足使用 AI 应用的客户的需求。确保客户的成功是我们代工服务最核心的价值。